Cách đây 2 tháng, Qualcomm đã xác nhận về nền tảng chip di động mới nhất mang tên Snapdragon 835 sẽ được sản xuất trên dây chuyền 10nm của Samsung. Chipset này được dự đoán sẽ sử dụng trên chiếc Galaxy S8 cho phiên bản phân phối tại thị trường Mỹ.

Qualcomm đã từng thông báo về Snapdragon 835 vào cuối năm ngoái và bây giờ công ty đã chính thức công bố thêm một số thông tin về sản phẩm này.

Theo một số thông tin chi tiết được Qualcomm xác nhận, chúng ta biết rằng chip xử lý trên Samsung Galaxy S8 sẽ nhanh hơn 20%-25% và có hiệu năng tốt hơn người tiền nhiệm Snapdragon 820 – được trang bị trên Galaxy S7

Snapdragon 835 được sản xuất dựa trên nền tảng chip 8 nhân thay vì 4 nhân trên Snapdragon 820. Chip mới. Chip 835 không sử dụng lõi Kryo như người tiền nhiệm 820, chip 835 sử dụng lõi tương tự như ARM và được lấy tên Kryo 280, Qualcomm cho biết Snapdragon 835 với Kryo 280 sẽ có nhiều khác biệt chứ không đơn thuần là một sự sao chép thiết kế ARM

Chip Snapdragon 835

Bộ vi xử lý mới được trang bị 4 nhân chạy hiệu suất cao với xung nhịp lên tới 2.45GHz và bốn nhân hỗ trợ với tốc độ lên tới 1.9Ghz.

Chip đồ họa mới Adreno 540 hứa hẹn tăng tốc 25% hiệu năng và hỗ trợ HDR. Chip mới của Qualcomm cũng sẽ được trang bị chuẩn kết nối mạng tốc độ cao mới nhất LTE X16 hay CAT16 LTE, hỗ trợ chuẩn wifi 802.11 ad, Bluetooth 5.0, và xem video chuẩn 4K Ultra HD cùng chuẩn sạc nhanh Quick Charge 4, hỗ trợ chuẩn wifi 802.11 ad, Bluetooth 5.0, và xem video chuẩn 4K Ultra HD cùng chuẩn sạc nhanh Quick Charge 4 – được quảng bá sạc trong 5 phút có thể sử dụng trong 5 giờ. Snapdragon 835 sẽ tương thích hoàn hảo với chuẩn USB Type-C

Samsung Galaxy S8 có thể sẽ là chiếc Flagship đầu tiên của thế giới công nghệ sử dụng chip Snapdragon 835. Nếu hiệu năng được cải thiện chưa chắc là vấn đề thu hút người dùng do đa phần những ứng dụng hiện nay không cần đến một cấu hình “khủng” như vậy để xử lý thì khả năng tiết kiệm pin tốt hơn thật sự là vấn đề nhiều người dùng quan tâm và mong muốn xuất hiện ở thế hệ chip mới nhất này của Qualcomm.